De la station de base à l'équipement d'essai: analyse complète des scénarios d'application des résistances RF

Les défis:

• Les terminaux RF de la station de base 5G doivent gérer des dizaines à des centaines de watts de puissance de transmission

• Dans les énormes réseaux d'antennes MIMO, les réseaux de distribution de signaux répartissent la puissance sur plusieurs canaux

• La puissance réfléchie de chaque canal, si elle n'est pas effectivement absorbée, peut être renvoyée dans le module d'amplificateur de puissance

• Conséquence: les performances des PA se dégradent et, dans les cas graves, les appareils peuvent se brûler

La solution de SHINHOM:

• Terminations de monture de bride

• Modèle type: RFR50N-800CT93401A

• Puissance de traitement: jusqu'à 800 W

• VSWR aussi bas que 1.201 (DC à 1,2 GHz)

• Absorbe efficacement la puissance réfléchie pour protéger le module PA

• La structure de la bride avec substrat AlN assure une conduction thermique rapide pour un fonctionnement stable à haute puissance

Scénario 2: Équipement d'essai et de mesure des atténuateurs permettant un contrôle précis du signal

Les défis:

• Les analyseurs de spectre, les générateurs de signaux et les analyseurs de réseau reposent sur une atténuation précise du signal

• Les atténuateurs doivent fournir une atténuation stable sur toute la bande de fréquences de fonctionnement.

• Il faut maintenir une faible VSWR et une bonne planéité

• L'avant doit gérer les signaux de haute puissance du dispositif soumis à l'essai.

• Le signal doit passer sans distorsion

• Les changements de température peuvent affecter la précision de l'atténuation

La solution de SHINHOM:

• Série d'atténuateurs de puces (emballages CA-A et CA-C)

• Valeur d'atténuation standard: 30 dB, tolérance ±1 dB

• Coefficient de température: ± 150 ppm/°C, stable sur toute la plage de température

• Plage de température de fonctionnement: -55°C à +150°C

• Le paquet de puces prend en charge le placement SMT, adapté aux conceptions de PCB à haute densité

• Substrate AlN + procédé de film mince

• VSWR aussi bas que 1.201 (DC à 3 GHz)

• Perte d'insertion stable avec une excellente performance de suppression harmonique

Les défis:

• Les isolants à la sortie de PA empêchent la rétroalimentation de la puissance réfléchie

• Le troisième port de l'isolateur nécessite une terminaison de haute puissance pour absorber l'énergie réfléchie

• Une capacité d'alimentation insuffisante ou une mauvaise dissipation de chaleur dans la terminaison peut entraîner une défaillance de l'isolateur.

• Conséquence: dommage au module de PA

La solution de SHINHOM:

• Série de terminaisons de monture de brides (emballages TX-A et TX-B)

• Modèle type: RFR50N-500CT2732A

• Puissance de traitement: 500 W

• VSWR meilleur que 1.301 (DC à 2,5 GHz)

• Structure de montage de la bride pour fixation directe à la surface du dissipateur thermique

• Substrate AlN à haute conductivité thermique (170-200 W/m·K)

• La chaleur est rapidement acheminée vers le système de refroidissement, empêchant l'accumulation de points chauds