| Résistance d'isolation | 1 000 MΩ à 500 V CC |
|---|---|
| Résistance à la tension | 1 000 V CA/RMS pendant 1 minute |
| Balance d'amplitude | ±0,2 dB |
| Fréquence de fonctionnement | Haute fréquence/bande RF |
| Taille | Varie selon le modèle, généralement 2x2x0,5 pouces |
| Fréquence | 5-1500MHz |
|---|---|
| Perte de retour d'entrée | 16,0 dB minimum (23 dB typ.) |
| Perte de retour de sortie | 16,0 dB minimum (25 dB typique.) |
| Perte de retour de couplage | 16,0 dB minimum (22 dB typ.) |
| Température de fonctionnement | -40 ℃ à 85 ℃ |
| Fréquence | 1 MHz à 8,5 GHz |
|---|---|
| Installation | Le SMD |
| Température de fonctionnement | -40℃ à 125℃ |
| Température de stockage | -55°C à 100°C |
| Ratio d'impédance | 11, 2, 1:4 |
| Fréquence | 4.5-3000MHz |
|---|---|
| Impédance caractéristique | 75Ω |
| Température de fonctionnement | -40℃ à 85℃ |
| Température de stockage | -55℃ à 100℃ |
| Rapport d'impédance | 1:1, 1:2, 1:4 |
| fréquence | 50 à 1250 mégahertz |
|---|---|
| Impédance caractéristique | 75Ω |
| Courant de C.C | 30mA |
| Puissance de rf | 0.25w |
| Température de fonctionnement | -40℃ à 85℃ |
| fréquence | 0.4-500MHz |
|---|---|
| Impédance caractéristique | 50Ω |
| Température de fonctionnement | -40℃ à 85℃ |
| Courant de C.C | 30mA |
| Rapport | 1:1 |
| Impédance caractéristique | 75Ω |
|---|---|
| fréquence | 5-3000MHz |
| Puissance de rf | 0.25w |
| Courant de C.C | 30mA |
| Température de fonctionnement | -40℃ à 85℃ |
| Puissance de rf | 0.25w |
|---|---|
| Impédance caractéristique | 75Ω |
| fréquence | 5-3000MHz |
| Courant de C.C | 30mA |
| Température de fonctionnement | -40℃ à 85℃ |
| fréquence | 1-1250MHz |
|---|---|
| Impédance caractéristique | 75Ω |
| Perte par insertion | 1.5dB maximum |
| Perte de l'accouplement R | minute 18dB |
| Température de fonctionnement | -40℃ à 85℃ |
| fréquence | 5-600MHz |
|---|---|
| Puissance de rf | 0.25w |
| Courant de C.C | 30mA |
| Température de fonctionnement | -40℃ à 85℃ |
| La température de stockage | -55℃ à 100℃ |