fréquence | 0.4-500MHz |
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Impédance caractéristique | 50Ω |
Température de fonctionnement | -40℃ à 85℃ |
Courant de C.C | 30mA |
Rapport | 1:1 |
fréquence | 50 à 1250 mégahertz |
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Impédance caractéristique | 75Ω |
Courant de C.C | 30mA |
Puissance de rf | 0.25w |
Température de fonctionnement | -40℃ à 85℃ |
Puissance de rf | 0.25w |
---|---|
Impédance caractéristique | 75Ω |
fréquence | 5-3000MHz |
Courant de C.C | 30mA |
Température de fonctionnement | -40℃ à 85℃ |
Impédance caractéristique | 75Ω |
---|---|
fréquence | 5-3000MHz |
Puissance de rf | 0.25w |
Courant de C.C | 30mA |
Température de fonctionnement | -40℃ à 85℃ |
fréquence | 5-3000MHz |
---|---|
Impédance caractéristique | 75Ω |
Puissance de rf | 0.25w |
Courant de C.C | 30mA |
Température de fonctionnement | -40℃ à 85℃ |
fréquence | 5-100MHz |
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Impédance caractéristique | 75Ω |
Température de fonctionnement | -40℃ à 85℃ |
Perte par insertion | 2.0dB |
Perte de retour d'entrée | 10dB |
Fréquence | 4.5-3000MHz |
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Impédance caractéristique | 75Ω |
Température de fonctionnement | -40℃ à 85℃ |
Température de stockage | -55℃ à 100℃ |
Rapport d'impédance | 1:1, 1:2, 1:4 |
Fréquence | 1 MHz à 8,5 GHz |
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Installation | Le SMD |
Température de fonctionnement | -40℃ à 125℃ |
Température de stockage | -55°C à 100°C |
Ratio d'impédance | 11, 2, 1:4 |