Inducteur de puissance SMD blindé de la série LPM1040/1045 pour convertisseurs POL à courant élevé et alimentations FPGA

Inducteurs de puissance à courant élevé série LPM1040/1045

Le Inducteur de puissance CMS blindé série LPM1040/1045 est doté d'une structure composite et d'une conception blindée, offrant la hauteur la plus faible pour sa taille de boîtier, le DCR/μH le plus faible pour sa taille de boîtier, et une réponse haute fréquence, gérant efficacement les pics de courant transitoire élevés sans saturation. La structure composite réduit considérablement le bruit audible, le rendant adapté aux applications sensibles au bruit. Il est largement utilisé dans les PDA/ordinateurs portables/ordinateurs de bureau/serveurs, les convertisseurs POL à courant élevé, les alimentations à courant élevé à profil bas, les appareils alimentés par batterie, les systèmes d'alimentation distribuée, et les convertisseurs CC-CC pour alimentations FPGA. C'est un choix idéal pour les conceptions d'alimentations compactes à haute densité.

CARACTÉRISTIQUES :

• Construction blindée
• Hauteur la plus faible dans cette empreinte de boîtier.
• Construction blindée.
• DCR/H le plus faible, dans cette taille de boîtier.
• Gère les pics de courant transitoire élevés sans saturation.
• Bruit de bourdonnement ultra faible, grâce à la construction composite.
• Fréquence jusqu'à 5 MHz.

APPLICATIONS :

• Applications PDA/ordinateurs portables/ordinateurs de bureau/serveurs
• Convertisseurs POL à courant élevé
• Alimentations à courant élevé, profil bas
• Appareils alimentés par batterie
• Convertisseurs CC/CC dans les systèmes d'alimentation distribuée
• Convertisseur CC/CC pour réseau de portes programmable sur site (FPGA)
• Applications utilisées dans la commutation d'alimentation
• Ordinateurs personnels et autres équipements électroniques portables.

NOTES :·

• Fréquence de test : 100 kHz / 0,25 Vcc
• Instrument de test : L : HP4284A, CH11025, CH3302, CH1320, CH1320S LCR METER/Rdc : CH16502, Agilent 33420A MICRO OHMMETER.
• Le courant nominal de chaleur (Irms) provoquera une élévation de température de la bobine d'environ,△T=40℃ sans perte de noyau.
• Le courant de saturation (Isat) provoquera une chute de L0 d'environ 20 %
• La température de la pièce (ambiante + élévation de température) ne doit pas dépasser 125℃ dans les pires conditions de fonctionnement. La conception du circuit, les composants, la taille et l'épaisseur des pistes du PCB, le flux d'air et d'autres dispositions de refroidissement affectent tous la température de la pièce. La température de la pièce doit être vérifiée dans l'application finale.
• Température de fonctionnement et de stockage : -40℃ - +105℃.

Remarque : Les spécifications du produit peuvent être personnalisées.

FAQ

Q : Comment la structure composite réduit-elle le bruit audible ?

R : La structure composite utilise des matériaux de noyau et des processus de remplissage spéciaux pour réduire efficacement les vibrations causées par l'effet magnétostrictif. Cela réduit considérablement le bruit audible dans la plage de fréquences audibles, le rendant particulièrement adapté aux appareils portables sensibles au bruit et aux applications d'électronique grand public.

Q : Quels sont les avantages de la conception à hauteur la plus faible pour sa taille de boîtier ?

R : La conception à hauteur la plus faible pour sa taille de boîtier permet d'économiser de l'espace vertical sur le PCB, ce qui la rend particulièrement adaptée aux conceptions d'appareils compacts contraints en hauteur, répondant aux tendances de miniaturisation et de formats fins sans compromettre la capacité de gestion de puissance.

Q : Que signifie le DCR/μH le plus faible pour sa taille de boîtier ?

R : Le DCR/μH le plus faible pour sa taille de boîtier signifie que cet inducteur offre la plus faible résistance CC et la plus faible perte de puissance par microhenry dans la même taille de boîtier, garantissant une efficacité de conversion élevée et une faible génération de chaleur. Il convient aux conceptions d'alimentations à haute densité avec des exigences strictes en matière d'efficacité et de gestion thermique.

Q : Quels sont les avantages de la structure blindée ?

R : La structure blindée utilise une conception de circuit magnétique fermé pour confiner le flux magnétique à l'intérieur du noyau. Elle réduit efficacement le flux de fuite et les interférences électromagnétiques avec les circuits sensibles à proximité, améliorant les performances CEM du système.